多晶硅（polycrystalsilicon）
多晶硅（polycrystalsilicon）由大量取向不同的小的硅單晶體構(gòu)成的薄膜或體硅材料稱為多晶硅。非摻雜的多晶硅具有很高的電阻率，一般為106～107Ωcm。多晶硅中由于大量晶粒間界的...
聚合物半導(dǎo)體（polymersemiconductor）
聚合物半導(dǎo)體（polymersemiconductor）聚合物是由單體聚合而成具有鏈狀結(jié)構(gòu)的大分子所構(gòu)成的材料，聚合物半導(dǎo)體指具有半導(dǎo)體性質(zhì)的聚合物，電導(dǎo)率在10-8～103(Ωcm)-1范圍內(nèi)。聚合...
硫系玻璃（chalcogenide）
硫系玻璃（chalcogenide）除氧外含有硫、硒、碲等硫系元素的玻璃稱為硫系玻璃。硫系原子最外層有6個(gè)原子(s2p4)，可以和本身或其他2個(gè)原子形成共價(jià)鍵，因而硫系原子以曲折鏈連接成...
玻璃半導(dǎo)體（glasssemiconductor）
玻璃半導(dǎo)體（glasssemiconductor）是指由無機(jī)氧化物（如二氧化硅和氧化硼）和過渡金屬離子（如鐵、銅、鉬、釩和鉻等）組成的氧化玻璃半導(dǎo)體和非氧化物（如硫、硒、磷、碲、硅和鍺...
鐵電半導(dǎo)體（ferroelectricsemiconductor）
鐵電半導(dǎo)體（ferroelectricsemiconductor）當(dāng)半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)不具有對(duì)稱中心時(shí)，它便可能具有壓電性，這種半導(dǎo)體稱為壓電半導(dǎo)體。如果同時(shí)其元胞中的正負(fù)電荷重心不重合，便可出...
壓電半導(dǎo)體（piezoelectricsemiconductor）
壓電半導(dǎo)體（piezoelectricsemiconductor）某些電介質(zhì)，當(dāng)沿著一定方向?qū)ζ涫┝Χ顾冃螘r(shí)，內(nèi)部就產(chǎn)生極化現(xiàn)象，同時(shí)在它的兩個(gè)表面上產(chǎn)生符號(hào)相反的電荷，當(dāng)外力去掉后，又重...
氧化物半導(dǎo)體（oxidesemiconductor）
氧化物半導(dǎo)體（oxidesemiconductor）指具有半導(dǎo)體特性的氧化物。如MnO、Cr2O3、FeO、Fe2O3、CuO、SnO2和ZnO等。大多數(shù)氧化物半導(dǎo)體的主要用途是制作熱敏電阻，它們的電阻值隨溫度...
液態(tài)半導(dǎo)體（liquidsemiconductor）
液態(tài)半導(dǎo)體（liquidsemiconductor）液態(tài)半導(dǎo)體具有液體的流動(dòng)性，并且有晶體的光學(xué)異向性。其分子呈長形或其他規(guī)則形狀，具有各向異性的物理性質(zhì)，在一定的溫度范圍內(nèi)分子呈規(guī)則排...
化合物半導(dǎo)體（compoundsemiconductor）
化合物半導(dǎo)體（compoundsemiconductor）通常所說的化合物半導(dǎo)體多指晶態(tài)無機(jī)化合物半導(dǎo)體，它是由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導(dǎo)體材料。化合物半導(dǎo)體數(shù)量最多，研究出的約有...
元素半導(dǎo)體（elementalsemiconductor）
元素半導(dǎo)體（elementalsemiconductor）指僅由一種元素組成的半導(dǎo)體材料。它們都處于Ⅲ族～Ⅶ族的金屬與非金屬的交界處。元素半導(dǎo)體因由單一元素組成，故在純度、結(jié)構(gòu)完整性和均勻...