隧道二極管（tunneldiode）
隧道二極管（tunneldiode）
肖特基二極管（Schottkydiode）
肖特基二極管（Schottkydiode）用金屬和半導(dǎo)體制成的面接觸二極管，具有和pn結(jié)類似的單向?qū)щ娦浴Ｓ捎谛ぬ鼗O管的正向電流主要是由半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子進(jìn)入金屬所形成的，它是...
碳納米管（carbonnanotube）
碳納米管（carbonnanotube）由碳原子構(gòu)成的網(wǎng)狀納米尺度半徑的管狀物為碳納米管，分成單層和多層碳管。碳納米管是20世紀(jì)90年代初被人類合成的一種新型人工結(jié)構(gòu)材料，具有許多不同...
等電子摻雜（isoelectronicdoping）
等電子摻雜（isoelectronicdoping）與被替代的基體原子具有相同價(jià)電子結(jié)構(gòu)的替代原子的摻雜。等電子雜質(zhì)雖然是電中性的，但由于其原子半徑及電負(fù)性與被替代原子不同，因此產(chǎn)生的短...
施主（donor）
施主（donor）能夠向晶體提供電子同時(shí)自身成為正離子的雜質(zhì)稱為施主雜質(zhì)。當(dāng)電子被束縛于施主中心時(shí)，其能量低于導(dǎo)帶底的能量，相應(yīng)的能級(jí)稱為施主能級(jí)。施主向?qū)п尫烹娮铀璧?..
受主（acceptor）
受主（acceptor）在半導(dǎo)體帶隙中間的能級(jí)，能夠接受電子同時(shí)自身成為負(fù)離子的雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)。被受主雜質(zhì)所接受的電子的能量高于價(jià)帶頂?shù)哪芰浚鄳?yīng)的能級(jí)稱為受主能級(jí)。有些缺...
雜質(zhì)能級(jí)（impuritylevel）
雜質(zhì)能級(jí)（impuritylevel）半導(dǎo)體材料中的雜質(zhì)使嚴(yán)格的周期性勢(shì)場(chǎng)受到破壞，從而有可能產(chǎn)生能量在帶隙中的局域化電子態(tài)，稱為雜質(zhì)能級(jí)。對(duì)于雜質(zhì)和主晶格原子價(jià)電子相差1的施（受...
雙性雜質(zhì)（amphotericimpurity）
雙性雜質(zhì)（amphotericimpurity）有些雜質(zhì)在同一半導(dǎo)體中既可起施主作用，又可起受主作用，這種雜質(zhì)稱為雙性雜質(zhì)。雜質(zhì)的雙性行為的起因可以不同。一種情況是雙性雜質(zhì)在晶格中只占...
雜質(zhì)（impurity）
雜質(zhì)（impurity）雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體的性能起著決定性的影響。這不僅是因?yàn)樵诰w的制備過程中很難避免雜質(zhì)的混入，更主要的是為了控制半導(dǎo)體的性能制成有用的器件往往還要人為并且有控...
氫化非晶硅（amorphousSi:H）
氫化非晶硅（amorphousSi:H）含有大量硅氫鍵的非晶硅稱為氫化非晶硅即a-Si:H或非晶硅氫合金，a-Si:H中含氫量達(dá)3～50。a-Si:H通常采用輝光放電法或?yàn)R射法制備，其電導(dǎo)及光電性質(zhì)密...