噴泉效應（fountaineffect）
噴泉效應（fountaineffect）這是液HeⅡ的一種熱機械效應。放在液HeⅡ池中兩端開口的U形管內填上金剛砂粉末，兩邊開口處用棉花塞上，但左邊有一開口的毛細管，上部露出池面，這樣的...
光刻技術（photolithographictechnique）
光刻技術（photolithographictechnique）光刻是將反映半導體器件或集成電路芯片結構設計要求的掩模圖形轉移到襯底表面上的一種工藝技術。光刻過程一般包括幾個步驟，先將襯底表面...
刻蝕技術（lithographictechnique）
刻蝕技術（lithographictechnique）在半導體工藝中，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術稱為刻蝕技術。普通的刻蝕過程大致如下：先...
鈍化（passivation）
鈍化（passivation）在半導體工藝中，鈍化是指在硅片或半導體器件芯片的表面淀積或生長特定的介質膜，以防止表面受環境沾污和以后的操作對硅片表面可能造成的損傷。半導體表面層的...
電子束蒸發（electron
電子束蒸發（electron-beamevaporation）電子束蒸發是一種清潔的金屬薄膜淀積工藝。由熱絲發射的電子經過聚焦、偏轉和加速以后形成能量約為10keV的電子束，然后轟擊放在有冷卻水套...
分子束外延（molecularbeamepitaxy(MBE)）
分子束外延（molecularbeamepitaxy(MBE)）
外延（epitaxy）
外延（epitaxy）外延是一種晶體生長方法，它是在一定條件下使原子規則地排列在單晶襯底上，形成結構完整，與襯底取向相同，并有一定厚度的單晶層的方法。外延技術既可用于生長與襯...
離子束刻蝕（ion
離子束刻蝕（ion-beametching）離子束刻蝕，也稱為離子銑，它的主要原理是當定向高能離子向固體靶撞擊時，能量從入射離子轉移到固體表面原子上，如果固體表面原子間結合能低于入射...
離子注入（ionimplantation）
離子注入（ionimplantation）用離子加速器將各種離子注入半導體材料，從而改變半導體材料的電學、光學或其他物理性質的半導體工藝技術，稱為離子注入技術。自從20世紀70年代以來離...
納米技術（nanotechnology）
納米技術（nanotechnology）納米是10-9m，制備納米量級尺度材料、器件、系統的微加工技術，模擬技術和表征分析技術稱為納米技術，是納米電子學的技術基礎。納米技術是當前材料、物...