耿氏效應(yīng)（Gunneffect）
耿氏效應(yīng)（Gunneffect）當(dāng)在n型砷化鎵單晶兩端制作歐姆接觸，并加上高電場(chǎng)后，發(fā)現(xiàn)當(dāng)外加電場(chǎng)達(dá)到每厘米幾千伏特的臨界值時(shí)，出現(xiàn)很強(qiáng)的電流振蕩現(xiàn)象，其頻率在微波范圍，這個(gè)現(xiàn)象...
光敏電阻（photoresistor）
光敏電阻（photoresistor）光敏電阻是一種在光照條件下改變自身電導(dǎo)的半導(dǎo)體無(wú)結(jié)兩端器件。其工作原理是光照激發(fā)產(chǎn)生非平衡載流子參與電導(dǎo)，造成半導(dǎo)體材料電阻下降。通過(guò)雜質(zhì)電離...
耿氏器件（Gunndevice）
耿氏器件（Gunndevice）耿氏器件是利用耿氏效應(yīng)制作的一種能產(chǎn)生微波振蕩的負(fù)阻器件。1963年Gunn首次報(bào)道了n型砷化鎵單晶具有負(fù)阻特性的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，證實(shí)了兩年前Ridley等從理論上預(yù)...
集成電路（integratedcircuit）
集成電路（integratedcircuit）由大量晶體管、二極管、電阻和電容構(gòu)成的復(fù)雜電路，用以實(shí)現(xiàn)數(shù)字或模擬信號(hào)處理。若集成電路是做在同一塊半導(dǎo)體襯底上，則稱為半導(dǎo)體集成電路。若集...
半導(dǎo)體激光器（semiconductorlaser）
半導(dǎo)體激光器（semiconductorlaser）半導(dǎo)體激光器是全部由半導(dǎo)體材料來(lái)實(shí)現(xiàn)光學(xué)受激輻射的半導(dǎo)體光電子器件。半導(dǎo)體激光器一般由Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體多量子阱結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)形成的pn結(jié)...
半導(dǎo)體傳感器（semiconductorsensor）
半導(dǎo)體傳感器（semiconductorsensor）能夠把接收到的光、磁、熱、力、化學(xué)物質(zhì)變?yōu)榭商綔y(cè)的電訊號(hào)的半導(dǎo)體器件。最主要的半導(dǎo)體傳感器有：利用半導(dǎo)體壓敏特性制造的壓力傳感器、利...
天象（astronomicalphenomena）
天象（astronomicalphenomena）泛指各種天文現(xiàn)象。例如月球的盈虧、太陽(yáng)的出沒(méi)、行星的沖合、流星的閃逝、彗星的隱現(xiàn)、新星的爆發(fā)、日月的交食和極光的出現(xiàn)等等。中國(guó)歷史上有豐富...
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（semiconductormemory）
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（semiconductormemory）存儲(chǔ)器是電子計(jì)算機(jī)中存放數(shù)據(jù)、指令、中間結(jié)果的一個(gè)重要部件。存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)是存儲(chǔ)容量和工作速度。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是利用半導(dǎo)體器件的...
電荷耦合器件（chargecoupleddevice(CCD)）
電荷耦合器件（chargecoupleddevice(CCD)）以集成電路形式制造的一種模擬移位寄存器。通過(guò)襯底表面勢(shì)阱深度的控制，實(shí)現(xiàn)孤立電荷包在襯底中的存儲(chǔ)與傳輸。根據(jù)時(shí)鐘控制方式，CCD分...
非晶硅太陽(yáng)電池（amorphoussolarcell）
非晶硅太陽(yáng)電池（amorphoussolarcell）