1、基極的順向偏壓通常是用和集極相同的電壓源.

2、當(dāng)正向偏壓足夠高時(shí)，擴(kuò)散電容很容易超過空間電荷壓電容.

3、本文采用交替施加高偏壓和低偏壓的方法，合成出了具有軟膜和硬膜結(jié)構(gòu)的無氫類金剛石多層膜。

4、在很大的反向偏壓下，光電流緊隨著電吸收發(fā)生變化.

5、正向信號(hào)則使它的正向偏壓減弱.

6、研究了處理時(shí)間、氣體流量和電極偏壓對(duì)增塑劑滲出量的影響。

7、構(gòu)造圓形截面正截面偏壓承載力極限狀態(tài)方程時(shí)，采用二次多項(xiàng)式替代了求解受壓區(qū)混凝土截面面積的圓心角的超越方程，實(shí)現(xiàn)了對(duì)該節(jié)點(diǎn)的可靠度計(jì)算。

8、結(jié)果表明隨著負(fù)偏壓的增大,準(zhǔn)直碳納米管的平均直徑減小,平均長度增大.

9、干涉儀的兩個(gè)臂長相差波導(dǎo)波長的四分之一，使器件在最佳線性點(diǎn)工作，無需外加電偏壓。

10、一個(gè)測試系統(tǒng)中的主要部分可能包括直流偏壓、直流測量、RF功率計(jì)、網(wǎng)絡(luò)分析儀、RF源，以及其它儀器。

11、假如隧道在較長范圍內(nèi)沿著黃土沖溝走向或者與黃土塬邊平行走向，而覆蓋層又較薄或偏壓很大，就會(huì)輕易發(fā)生較大的坍塌或滑坡現(xiàn)象。

12、不同釘扎層所貢獻(xiàn)的漏磁場導(dǎo)致自由層有不同的矯頑場及偏壓場。

13、在很大的反向偏壓下,光電流緊隨著電吸收發(fā)生變化.

14、研究表明，負(fù)襯底偏壓增強(qiáng)成核主要是發(fā)射電子和離子轟擊的結(jié)果。

15、采用有限差分軟件，對(duì)淺埋偏壓單線鐵路隧道和四車道公路隧道進(jìn)行數(shù)值模擬。

16、本文主要論述基板員偏壓與銅基體磁控濺射離子鍍鋁膜的關(guān)系。

17、當(dāng)左右電子庫之間存在偏壓時(shí)，通過對(duì)系統(tǒng)的自旋電流與電荷流公式的分析，得到系統(tǒng)中只存在電荷流而沒有自旋電流的條件。[https ://www.306piaoyiban.cn/zj-320381/查字典造句]網(wǎng)

18、用戶可以設(shè)定測量信號(hào)的直流偏壓，測量振幅，脈沖寬度。

19、于一實(shí)施例中，該集成電路經(jīng)由第一節(jié)點(diǎn)接收來自麥克風(fēng)的第一信號(hào)，包括偏壓電路及緩沖電路。

20、當(dāng)正向偏壓足夠高時(shí),擴(kuò)散電容很容易超過空間電荷壓電容.

21、其只利用幾個(gè)模擬參數(shù)，就能準(zhǔn)確的推測電子傳輸率在各種閘極偏壓下的大小。

22、雪崩光電二極管APD的偏壓產(chǎn)生電路.

23、結(jié)果表明擴(kuò)散系數(shù)和擴(kuò)散距離都隨著負(fù)襯底偏壓的增大而增大.

24、處理后，器件各柵偏壓下的源漏飽和電流降低了，柵漏擊穿電壓有了顯著提高。