1、小阱寬的量子阱雖然光學(xué)限制因子和載流子注入比例都較小，但由于其價帶耦合小于寬量子阱，從而具有高的模式增益，說明量子阱的能帶結(jié)構(gòu)對其光學(xué)特性有決定性的作用。

2、這些結(jié)果都說明：晶格結(jié)構(gòu)是決定高溫超導(dǎo)電性的因素之一，且它并不依賴于載流子濃度變化與否。

3、當(dāng)施加反向偏置電壓時，形成的耗盡層厚度變大，從而使熱載流子的產(chǎn)生減到最小。

4、為了改善反向恢復(fù)特性，必須降低通態(tài)過程中靠近陽極的過剩載流子濃度。

5、以單位面積下漂移區(qū)自由載流子濃度為基礎(chǔ)，得出漂移區(qū)電阻的解析模型。

6、提出了一種快恢復(fù)二極管新結(jié)構(gòu):少數(shù)載流子壽命橫向非均勻分布。

7、理論上基于載流子消耗機(jī)制，對激光器型波長轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了小信號分析，給出了頻率響應(yīng)函數(shù)。

8、該模型考慮了載流子的速度飽和現(xiàn)象和寄生雙極性晶體管的影響，獲得了開態(tài)下LDMOS漂移區(qū)中的電場分布。

9、器件的發(fā)光強(qiáng)度有所提高，但柵壓對載流子的控制作用不理想。

10、在LED電極歐姆接觸中，載流子在金屬電極和半導(dǎo)體間有不同的傳輸機(jī)制。

11、這種光誘導(dǎo)剩余極化減小的疲勞，主要機(jī)理是光生載流子電疇釘扎。

12、因此，注入載流子在其作用層的空間分布比普通平面條形激光器窄得多，進(jìn)而其增益波導(dǎo)也窄得多。

13、熱載流子通過發(fā)射和吸收聲子,與晶格進(jìn)行能量交換.

14、計算結(jié)果表明，發(fā)射區(qū)載流子壽命的變化幾乎不影響注入到基區(qū)的電子電流，但卻成反比例地影響基區(qū)空穴電流。

15、利用穩(wěn)態(tài)速率方程,導(dǎo)出了激光器有源區(qū)載流子密度與偏置電流及輸入信號光功率關(guān)系的隱函數(shù)表達(dá)式.

16、在此基礎(chǔ)上，著重對閾值附近半導(dǎo)體激光器的載流子密度、輸出功率以及閾值電流等重要特性進(jìn)行了研究。

17、利用少數(shù)載流子的穩(wěn)態(tài)連續(xù)性方程和半導(dǎo)體材料對光的吸收，求出光電流的表達(dá)式。

18、即使載流子的方向和布線延伸方向偏離晶軸的容易分割方向，也可以容易地把一個半導(dǎo)體器件分割為小片。

19、為減小基區(qū)電阻和防止低溫載流子凍析，可增加基區(qū)濃度。

20、本文簡明地描述了由載流子帶內(nèi)弛豫加寬的半經(jīng)典的密度矩陣?yán)碚?【查字 典www.306piaoyiban.cn載流子造句】

21、在考慮載流子的空間電荷效應(yīng)、擴(kuò)散效應(yīng)和注入電流脈寬情況下，推導(dǎo)了雙漂移崩越二極管的渡越角表達(dá)式。

22、在模型基礎(chǔ)上，研究了量子化效應(yīng)對反型層載流子濃度和表面電勢的影響。

23、在描述載流子輸運(yùn)過程的玻爾茲曼方程的碰撞項中考慮了帶間躍遷的貢獻(xiàn)，從而將它推廣到存在非平衡載流子的情況。

24、這一現(xiàn)象可定性地用自由載流子吸收來解釋.

25、用于修飾或說明其中既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子的半導(dǎo)體器件.

26、進(jìn)一步分析認(rèn)為，這是因為條寬變窄導(dǎo)致器件閾值電流密度、閾值載流子密度變大造成的。

27、與常溫情況相比，低溫下本征載流子濃度將隨雜質(zhì)濃度的上升更為劇烈地上升。

28、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了光和載流子的完全限制，使閾值電流密度大幅度下降。

29、對于較高溫度下制備的TCO薄膜，對載流子遷移率起主要作用的散射機(jī)制是帶電離子散射和電中性復(fù)合粒子散射。