1、小阱寬的量子阱雖然光學限制因子和載流子注入比例都較小，但由于其價帶耦合小于寬量子阱，從而具有高的模式增益，說明量子阱的能帶結構對其光學特性有決定性的作用。

2、這些結果都說明：晶格結構是決定高溫超導電性的因素之一，且它并不依賴于載流子濃度變化與否。

3、當施加反向偏置電壓時，形成的耗盡層厚度變大，從而使熱載流子的產生減到最小。

4、為了改善反向恢復特性，必須降低通態(tài)過程中靠近陽極的過剩載流子濃度。

5、以單位面積下漂移區(qū)自由載流子濃度為基礎，得出漂移區(qū)電阻的解析模型。

6、提出了一種快恢復二極管新結構:少數(shù)載流子壽命橫向非均勻分布。

7、理論上基于載流子消耗機制，對激光器型波長轉換器進行了小信號分析，給出了頻率響應函數(shù)。

8、該模型考慮了載流子的速度飽和現(xiàn)象和寄生雙極性晶體管的影響，獲得了開態(tài)下LDMOS漂移區(qū)中的電場分布。

9、器件的發(fā)光強度有所提高，但柵壓對載流子的控制作用不理想。

10、在LED電極歐姆接觸中，載流子在金屬電極和半導體間有不同的傳輸機制。

11、這種光誘導剩余極化減小的疲勞，主要機理是光生載流子電疇釘扎。

12、因此，注入載流子在其作用層的空間分布比普通平面條形激光器窄得多，進而其增益波導也窄得多。

13、熱載流子通過發(fā)射和吸收聲子,與晶格進行能量交換.

14、計算結果表明，發(fā)射區(qū)載流子壽命的變化幾乎不影響注入到基區(qū)的電子電流，但卻成反比例地影響基區(qū)空穴電流。

15、利用穩(wěn)態(tài)速率方程,導出了激光器有源區(qū)載流子密度與偏置電流及輸入信號光功率關系的隱函數(shù)表達式.

16、在此基礎上，著重對閾值附近半導體激光器的載流子密度、輸出功率以及閾值電流等重要特性進行了研究。

17、利用少數(shù)載流子的穩(wěn)態(tài)連續(xù)性方程和半導體材料對光的吸收，求出光電流的表達式。

18、即使載流子的方向和布線延伸方向偏離晶軸的容易分割方向，也可以容易地把一個半導體器件分割為小片。

19、為減小基區(qū)電阻和防止低溫載流子凍析，可增加基區(qū)濃度。

20、本文簡明地描述了由載流子帶內弛豫加寬的半經典的密度矩陣理論.【查字 典www.306piaoyiban.cn載流子造句】

21、在考慮載流子的空間電荷效應、擴散效應和注入電流脈寬情況下，推導了雙漂移崩越二極管的渡越角表達式。

22、在模型基礎上，研究了量子化效應對反型層載流子濃度和表面電勢的影響。

23、在描述載流子輸運過程的玻爾茲曼方程的碰撞項中考慮了帶間躍遷的貢獻，從而將它推廣到存在非平衡載流子的情況。

24、這一現(xiàn)象可定性地用自由載流子吸收來解釋.

25、用于修飾或說明其中既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子的半導體器件.

26、進一步分析認為，這是因為條寬變窄導致器件閾值電流密度、閾值載流子密度變大造成的。

27、與常溫情況相比，低溫下本征載流子濃度將隨雜質濃度的上升更為劇烈地上升。

28、雙異質結構實現(xiàn)了光和載流子的完全限制，使閾值電流密度大幅度下降。

29、對于較高溫度下制備的TCO薄膜，對載流子遷移率起主要作用的散射機制是帶電離子散射和電中性復合粒子散射。