1、今后，真空開關的發展趨勢是真空滅弧室向小型化發展、真空開關向高電壓等級和低電壓等級發展。

2、利用X射線對氣體分子的電離作用，在一定電壓下用一束X射線照射真空滅弧室，使滅弧室內產生電離電流。

3、本文最后提出了縱向磁場臨界半徑的概念，對更高電壓等級真空滅弧室開斷能力的研究具有非常重要的意義。

4、對杯狀縱磁真空滅弧室觸頭建立了與實際觸頭結構完全一致的有限元分析模型，模型中把電弧弧柱處理成圓柱形金屬導體。

5、借鑒高壓電器的理論知識，結合自己多年的實踐經驗，編制了滅弧室開斷特性的數學模擬計算程序。（查字典h t t ps://www.ch azidian.com/zj-211170/造句網）

6、電場數值計算中,描述斷路器滅弧室內電場分布的數學模型為柱面坐標下的拉普拉斯方程.