在半導(dǎo)體工藝中，鈍化是指在硅片或半導(dǎo)體器件芯片的表面淀積或生長特定的介質(zhì)膜，以防止表面受環(huán)境沾污和以后的操作對硅片表面可能造成的損傷。半導(dǎo)體表面層的性質(zhì)對于環(huán)境或與半導(dǎo)體表面接觸的介質(zhì)的性質(zhì)是很敏感的。表面沾污離子、界面態(tài)電荷、介質(zhì)層內(nèi)的可動電荷和固定電荷都會影響半導(dǎo)體的表面電勢，從而引起表面層中載流子的積累，耗盡，或者使表面層反型，并引起金屬-絕緣體-半導(dǎo)體（MIS）結(jié)構(gòu)電容-電壓特性和半導(dǎo)體器件特性的變化。為了保證半導(dǎo)體器件工作的穩(wěn)定性和可靠性，必須在半導(dǎo)體器件芯片表面覆蓋某些經(jīng)過選擇的介質(zhì)膜，使表面鈍化。較早采用的鈍化膜是熱生長的二氧化硅，但是二氧化硅膜不能阻擋鈉等堿金屬離子的擴散。現(xiàn)在生產(chǎn)上更常用的是二氧化硅-磷硅玻璃復(fù)合膜、二氧化硅-氮化硅復(fù)合膜、二氧化硅-三氧化二鋁復(fù)合膜或聚酰亞胺膜。上述與硅片直接接觸的鈍化膜通常稱為一次鈍化膜，為了改善鈍化效果，有時芯片封裝前還要再涂敷一次鈍化膜，稱為二次鈍化膜。聚酰亞胺也可用于二次鈍化。